글로벌 반도체 시장을 선도하는 삼성전자가 현지시간 8월 4일부터 6일까지 미국 가포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'FMS 2026'에 참가해 미래 인공지능(AI) 시대를 겨냥한 차세대 메모리 기술의 향후 발전 방향을 제시했다. 회사는 이번 행사에서 역대 최대 규모인 약 20평 형태의 전시 구역을 구성해 차세대 3D 아키텍처 혁신 구조인 zHBM과 zNAND-O의 실제 모형을 세계 최초로 선보였다.
전시장은 하이라이트, 클라우드 AI, 에지 AI 등 총 3개 공간으로 구분되었다. 삼성전자는 D램, 낸드플래시, 스토리지 솔루션을 아우르는 약 30여 개 고성능 라인업을 배치하며 기술력을 입증했다. 행사 첫날 열린 기조연설에는 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 연사로 나서 고성능 컴퓨팅 및 AI 인프라 확장에 대응하기 위한 미래 반도체 아키텍처 전략을 공유했다.
가장 눈길을 끈 핵심 기술은 zHBM 아키텍처다. 기존 메모리 배치가 AI 연산 장치 옆면에 수평으로 구성되었던 한계를 넘어, 프로세서 바로 위에 메모리를 수직으로 직접 적층하는 방식을 도입했다. 이를 통해 연산 장치와 메모리 사이의 데이터 이동 거리를 대폭 축소하여 초고속 데이터 전송을 가능케 했다. 이러한 구조적 혁신은 기존 HBM5 기술과 비교해 최대 8배 향상된 동작 성능을 구현하며, 전력 대비 효율성은 3배 높이고 열 저항은 절반 수준으로 줄이는 성과를 거두었다. 또한 중간 계층에 맞춤형 설계 블록(IP)을 통합할 수 있어 고객 요구에 최적화된 시스템 구축이 가능하다.
삼성전자는 낸드 분야에서도 고성능 아키텍처 비전을 제시했다. 수직 적층 및 관통전극(TSV) 기술을 결합한 zNAND-O는 온디바이스 AI 구동 환경에 특화되어 빠른 응답속도와 확장된 데이터 로딩 대역폭을 제공한다. 이와 함께 세계 최초로 400단 이상 구조를 가진 10세대 'V10 BV-NAND' 기술을 실물로 나타냈다. 웨이퍼 본딩 방식과 3개 스택을 접합하는 적층 공법을 적용해 이전 세대(V9) 대비 단위 면적당 집적도를 약 58% 끌어올렸으며, 데이터 입출력 속도와 가공 성능을 대폭 끌어올렸다.
차세대 제품 포트폴리오 면에서도 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, 기업용 SSD PM1763 및 BM1773 등 최첨단 라인업을 망라해 제시했다. 차세대 신규 열제어 솔루션(HPB)이 적용된 HBM5 모형과 더불어 연산 기능을 내부에서 직접 수행하는 PIM 솔루션을 공개하며 AI 데이터센터 수요에 대응하는 차별화된 로드맵을 확정했다.
삼성전자는 설계부터 생산, 첨단 패키징까지 한 번에 체계적으로 제공하는 세계 유일의 종합 반도체 기업이다. 고성능 AI 프로세서와 차세대 메모리의 상호 최적화를 이끌어내며 글로벌 고객사의 개발 기간 축소와 시스템 효율 극대화를 지원하고 있다. 향후 차세대 기술 혁신과 차별화된 통합 솔루션을 바탕으로 글로벌 AI 반도체 기술 패권을 지속해서 공고히 할 계획이다.
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