[화담일보=소민영기자]
기사 이해를 돕기 위해 AI로 제작한 반도체 산업 개념 이미지. 실제 기업 공장이나 특정 제품을 재현한 것이 아닙니다.
인공지능 AI 인프라 투자가 확대되면서 반도체 산업의 수요가 GPU와 고대역폭메모리 HBM을 넘어 서버용 기판 등 주변 부품으로 확산하고 있다. 국내에서는 삼성전기가 AI 서버용 고성능 반도체 기판 생산 확대를 위해 국내외에 총 6조7800억원 규모의 투자 계획을 공식화했고, 메모리 시장에서는 HBM 비중 확대와 중국 업체의 범용·모바일 DRAM 생산 기술 고도화가 동시에 진행되고 있다.
삼성전기는 지난 29일 세종사업장에 4조2700억원, 베트남 법인에 약 2조5100억원을 투자해 AI 서버용 FCBGA 생산능력을 확대한다고 공식 발표했다. 세종사업장 투자 기간은 2026년 9월부터 2028년 5월까지이며 회사는 2028년 9월부터 양산을 시작할 계획이다. 베트남 법인은 2030년 6월 공사 완료와 가동을 목표로 하고 있다.
FCBGA는 AI 가속기와 GPU, CPU 등 고성능 반도체와 메인보드를 연결해 전기 신호와 전력을 전달하는 반도체 패키지기판이다. 삼성전기는 AI 서버와 고성능컴퓨팅 시장 확대에 따라 기판이 대면적·고다층·고집적 구조로 고도화되고 있다고 설명했다. 이번 세종사업장 투자는 회사 기준 단일 제품 투자 가운데 최대 규모다.
이번 투자에서 눈에 띄는 부분은 생산시설 규모뿐 아니라 자금과 물량 구조다. 삼성전기는 글로벌 고객사의 투자금 지원을 통해 신규 설비투자 부담을 낮추고, 고객사와 중장기 물량을 확보해 향후 가동률과 운영비 부담을 완화할 계획이라고 밝혔다. 다만 이는 회사가 제시한 사업 계획으로, 향후 실제 가동률과 수익성은 양산 이후 실적을 통해 확인해야 한다.
AI 관련 수요는 이미 삼성전기 실적에도 일부 나타나고 있다. 삼성전기의 올해 2분기 연결 매출은 3조4572억원, 영업이익은 4404억원으로 전년 동기보다 각각 24%, 107% 증가했다. 패키지솔루션 부문 매출은 7716억원으로 전년 동기보다 37% 증가했다. 회사는 주요 글로벌 빅테크 고객사를 대상으로 한 AI 가속기와 서버 CPU용 고부가 반도체 기판 공급 확대 등을 실적 개선 요인으로 설명했다.
메모리 시장에서는 HBM의 생산 비중 확대가 또 다른 변화로 나타나고 있다. Reuters가 29일 보도한 삼성전자 김태우 부사장의 발언에 따르면 HBM은 내년 글로벌 DRAM 업체들의 전체 웨이퍼 생산능력 가운데 약 30%를 차지할 것으로 전망됐다. 현재 약 20% 수준에서 비중이 높아질 것이란 전망이다. 김 부사장은 HBM과 일반 DRAM이 같은 웨이퍼 생산능력을 사용하기 때문에 HBM 생산 확대가 일반 DRAM 공급 여력에도 영향을 줄 수 있다고 설명했다. 이는 현재 확정된 생산비중이 아니라 삼성전자 임원이 제시한 전망이다.
삼성전자는 올해 AI용 고부가 메모리 확대를 공식 사업 방향으로 제시해 왔다. 회사는 HBM4 생산능력을 확대하고 있으며 2026년 HBM 매출이 지난해보다 3배 이상 증가할 것으로 전망했다. HBM4E와 고객별 요구에 맞춘 커스텀 HBM 등 차세대 제품도 순차적으로 확대할 계획이다. 이 역시 회사의 사업 전망과 계획이므로 향후 실제 판매 실적과는 구분할 필요가 있다.
반면 범용·모바일 DRAM 시장에서는 중국 업체의 생산 확대가 새로운 경쟁 변수로 나타나고 있다. 중국 메모리업체 창신메모리테크놀로지 CXMT는 지난 20일 5세대 DRAM 기술 플랫폼 G5의 양산을 공식 발표했다. 회사는 G5 기반 24기가비트 LPDDR5X 제품 2종도 양산 중이라고 밝혔다. 해당 제품은 스마트폰과 휴대용 전자기기 등을 주요 적용처로 한다.
CXMT는 G5 플랫폼의 메모리 배열 액티브에어리어 하프피치가 11.95나노미터이며, 이전 세대 대비 동일 8기가비트 기준 웨이퍼당 다이 생산량이 최소 50% 증가했다고 발표했다. 그러나 이 수치는 CXMT가 자체 공개한 기술 자료다. 회사 발표만으로는 실제 양산 수율과 전체 웨이퍼 투입량, 고객별 출하량이나 삼성전자·SK하이닉스 등 경쟁사와의 생산원가 차이를 확인하기 어렵다. 따라서 중국 업체의 기술 수준이나 시장점유율 변화까지 단정해서 해석할 단계는 아니다.
이 같은 흐름은 AI 반도체 시장을 하나의 호황으로 묶어서 보기 어렵다는 점을 보여준다. HBM은 AI 가속기용 고부가 메모리 수요 확대의 영향을 직접 받고 있고, 삼성전기의 대규모 FCBGA 투자처럼 수요가 반도체 기판까지 확산되고 있다. 반면 범용·모바일 DRAM에서는 중국 업체의 생산 확대가 추가 공급 변수로 등장하고 있다.
결국 향후 반도체 산업의 흐름을 확인하려면 AI 반도체 전체 매출만 볼 것이 아니라 HBM 생산능력과 판매량, 범용 DRAM 가격과 공급량, 중국 메모리업체의 실제 출하 규모와 수율, AI 서버용 FCBGA의 가동률과 매출 기여도를 각각 나눠 살펴볼 필요가 있다. 현재까지 확인된 자료로는 AI 수요 확대가 고부가 메모리와 서버 부품의 투자를 동시에 끌어내고 있다는 점은 확인되지만, 중국 DRAM 생산 확대가 향후 시장 가격과 국내 기업 실적에 미칠 영향까지 단정하기에는 추가 데이터가 필요하다.
[출처]
삼성전기 뉴스룸, 2026.09.29, AI 서버용 FCBGA 투자계획
삼성전기, 2026년 2분기 경영실적
Reuters, 2026.09.29, 삼성전자 HBM 생산비중 전망 보도
삼성전자 반도체 공식 자료, HBM4·HBM4E 관련 발표
CXMT 공식 뉴스룸, 2026.09.20, G5 DRAM 플랫폼 양산 발표
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