ASML·자이스, 차세대 EUV 노광 기술 '하이퍼 NA' 제시

기존 하이 NA 장비보다 높은 개구수 0.75 이상 목표

5나노미터 수준의 미세 패턴 구현 가능성 제시

연구개발 단계로 상용 장비 생산 일정은 미확정

[화담일보=이서현기자] 네덜란드 반도체 장비기업 ASML과 독일 광학기업 칼자이스가 차세대 극자외선(EUV) 노광 기술인 '하이퍼 NA(Hyper NA)'의 개발 방향을 제시했다.

 

양사 연구진이 10월 발표한 학술논문에 따르면 하이퍼 NA는 0.75 이상의 개구수(NA)를 활용하는 기술이다. 개구수는 빛을 모으는 광학계의 성능과 관련된 수치로, 높을수록 더 미세한 반도체 회로 패턴을 구현하는 데 유리하다.

 

현재의 하이 NA EUV 기술을 넘어 약 5나노미터 수준의 미세 패턴을 구현하는 것이 연구 목표다. 연구진은 기존 EUV 기술과 장비 구성 요소를 상당 부분 활용할 가능성도 검토했다.

 

다만 하이퍼 NA는 상용화가 완료된 장비가 아니다. ASML은 관련 개발에 착수했지만 실제 장비 생산을 확정하지는 않았다.

 

양사 연구진은 향후 약 10년을 개발 가능 시점으로 제시했다. 실제 도입에는 광학계와 공정 기술의 추가 검증이 필요하다.

작성 2026.10.09 15:00 수정 2026.10.09 15:00

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